Toshiba anunció que ha logrado desarrollar con éxito la primera memoria 3D NAND Flash con tecnología TSV. Un avance muy importante en lo se refiere al consumo de energía. Los primeros prototipos estarán basados en el proceso de 48 capas de la compañía.
Esta nueva memoria se distingue de la versión 2D al estar apilada en vertical. También reduce el espacio físico necesario para alcanzar cierta capacidad de almacenamiento. Ejemplos similares se pueden ver en dispositivos con memoria HBM apilada en 3D. Estos utilizan un PCB mucho más pequeño que equipos con GDDR5 y GDDR5X
Por otro lado, la tecnología TSV implica el uso de electrodos y vías que recorren en vertical las capas de memoria 3D integradas en un chip. Debido a ello, ofrece una mayor velocidad en las comunicaciones y un menor consumo.
Además, según la propia Toshiba, esperan poder alcanzar hasta 1 TB en unidades de almacenamiento con un solo encapsulado. Por último, las nuevas 3D NAND Flash serán presentadas en el evento Flash Memory Summit de 2017, en Santa Clara.
